Photoluminescence dark spot dynamics in GaAs grown on Si

被引：0

作者：

Wada, Naoki ^{[1
]}

Sakai, Shiro ^{[1
]}

Fukui, Masuo ^{[1
]}

机构：

[1] Tokushima Univ, Tokushima, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers | 1994年 / 33卷 / 1 B期

关键词：

Dark spots - Dislocation dynamics - Gallium arsenide on silicon - Photoluminescence image - Planar homoepitaxial gallium arsenide - Undercut gallium arsenide on silicon - Undercut structures on gallium arsenide;

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

引用

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