ION IMPLANTED GaAs P-CHANNEL MESFET WITH SCHOTTKY-BARRIER HEIGHT ENHANCEMENT.

被引：0

作者：

Lee, G.Y. ^{[1
]}

Baier, S.M. ^{[1
]}

Chung, H.K. ^{[1
]}

Fure, B.J. ^{[1
]}

Cirillo Jr., N.C. ^{[1
]}

机构：

[1] Honeywell, Bloomington, MN, USA, Honeywell, Bloomington, MN, USA

来源：

IEEE Transactions on Electron Devices | 1986年 / ED-33卷 / 11期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

5

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