High-rate deposition of hydrogenated amorphous silicon films and devices

被引:0
作者
Luft, Werner [1 ]
机构
[1] Solar Energy Research Inst, United States
来源
Applied physics communications | 1988年 / 8卷 / 04期
关键词
D O I
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摘要
Semiconducting Silicon
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页码:239 / 298
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