Growth of Ca8La2(PO4)6O2 single crystals as substrates for GaN epitaxial growth

被引：0

作者：

Institute for Materials Research, Tohoku Univ., Katahira 2-1-1, A., Sendai, Japan ^{[1
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不详 ^{[2
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机构：

来源：

J Cryst Growth | / 3卷 / 302-306期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用