Photoluminescence mechanism of erbium in silicon: Intensity dependence on excitation power and temperature

被引:0
作者
Thao, D.T.X. [1 ,2 ]
Ammerlaan, C.A.J. [1 ]
Gregorkiewicz, T. [1 ]
机构
[1] Van der Waals-Zeeman Institute, Univ. Amsterdam, V., Amsterdam, Netherlands
[2] Intl. Train. Inst. for Mat. Science, ITIMS Building, Dai Hoc Bach Khoa, Hanoi, Viet Nam
来源
Physica B: Condensed Matter | 1999年 / 273卷
关键词
D O I
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5
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页码:338 / 341
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