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HIGH-EFFICIENCY STRIPE-GEOMETRY InGaAsP DH LASERS ( lambda equals 1. 3 mu m) WITH CHEMICALLY-ETCHED MIRRORS.
被引：0
作者：
Wright, P.D.
Nelson, R.J.
机构：
来源：
Electron device letters
|
1980年
/
EDL-1卷
/
11期
关键词：
Compendex;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
Lasers, Semiconductor
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页码：242 / 243
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