Depth profiling of InAs/InP and InxGa1-xAs/InAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy

被引：0

作者：

Bruni, M.R. ^{[1
]}

Gambacorti, N. ^{[1
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Kaciulis, S. ^{[1
]}

Mattogno, G. ^{[1
]}

Simeone, M.G. ^{[1
]}

Viticoli, S. ^{[1
]}

机构：

[1] CNR, Roma, Italy

来源：

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology | 1994年 / B28卷 / 1-3期

关键词：

Deoxidation - Depth profiling - Indium arsenide - Indium gallium arsenide - Ternary compounds;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

页码：228 / 231