Low-acceptor-concentration GaInNAs grown by molecular-beam epitaxy for high-current p-i-n solar cell applications

被引：0

作者：

Ptak, A.J. ^{[1
]}

Friedman, D.J. ^{[1
]}

Kurtz, Sarah ^{[1
]}

Reedy, R.C. ^{[1
]}

机构：

[1] National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO 80401, United States

来源：

Journal of Applied Physics | 2005年 / 98卷 / 09期

关键词：

Concentration (process) - Impurities - Molecular beam epitaxy - Photocurrents - Semiconductor growth - Solar cells - Temperature distribution;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用