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INVESTIGATION OF PHOTOELECTRIC PROPERTIES OF InAs-GaSb HETEROJUNCTIONS.
被引：0
作者：
Bergmann, Ya.V.
Izvozchikov, B.V.
Korol'kov, V.I.
Mursakulov, N.N.
Pramatarova, L.D.
Tret'Yakov, D.N.
机构：
来源：
Soviet Physics, Semiconductors (English translation of Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov)
|
1976年
/
10卷
/
08期
关键词：
714 Electronic Components and Tubes;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
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页码：930 / 931
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