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Resonant tunneling through (submicron) Si/SiGe double barrier structures fabricated by selective epitaxy
被引：0
作者：
Lukey, P.W.
Caro, J.
Storm, A.B.
Van Der Drift, E.W.J.M.
Zijlstra, T.
Werner, K.
Radelaar, S.
机构：
来源：
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关键词：
Compilation and indexing terms;
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