In situ study of the interfaces between plasma-deposited amorphous silicon and silicon dioxide by UV-IR spectroellipsometry

被引：0

作者：

Shirai, Hajime ^{[1
]}

Ossikovski, Razvigor ^{[1
]}

Drevillon, Bernard ^{[1
]}

机构：

[1] CNRS, Palaiseau, France

来源：

| 1600年 / JJAP, Minato-ku, Japan卷 / 33期

关键词：

13;

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

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