New p-channel MOSFET with large-tilt-angle implanted punchthrough stopper (LATIPS)

被引：0

作者：

Hori, Takashi ^{[1
]}

Kurimoto, Kazumi ^{[1
]}

机构：

[1] Matsushita Electric Industries Co, Moriguchi, Jpn

来源：

Electron device letters | 1988年 / 9卷 / 12期

关键词：

P-Channel MOSFET - Punchthrough Stopper;

D O I：

暂无

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学科分类号：

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