Optimization of buffer layers for AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic high electron mobility transistors by atmospheric pressure metalorganic chemical vapor deposition

被引：0

作者：

Pan, N. ^{[1
]}

Jackson, G.S. ^{[1
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Carter, J. ^{[1
]}

Hendriks, H. ^{[1
]}

Brierley, S.K. ^{[1
]}

机构：

[1] Raytheon Research, Lexington, United States

来源：

Journal of Electronic Materials | 1992年 / 21卷 / 02期

关键词：

Transistors; High Electron Mobility;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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