In situ TEM observations of surfactant-mediated epitaxy: growth of Ge on an Si(111) surface mediated by In

被引：0

作者：

Minoda, H. ^{[1
]}

Tanishiro, Y. ^{[1
]}

Yamamoto, N. ^{[1
]}

Yagi, K. ^{[1
]}

机构：

[1] Tokyo Inst of Technology, Tokyo, Japan

来源：

Surface Science | 1996年 / 357-358卷 / 1-3期

关键词：

Crystal orientation - Dislocations (crystals) - Epitaxial growth - Germanium - Grain size and shape - Indium - Interfaces (materials) - Morphology - Silicon - Surface phenomena - Surface roughness - Surface structure;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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