Inverse modeling as a basis for predictive device simulation of deep submicron metal-oxide-semiconductor field effect transistors

被引：0

作者：

Fujitsu Ltd, Kawasaki, Japan ^{[1
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机构：

来源：

Jpn J Appl Phys Part 1 Regul Pap Short Note Rev Pap | / 10卷 / 5437-5443期

关键词：

D O I：

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