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Study of etch rate characteristics of SF6/He plasmas by response-surface methodology: Effects of interelectrode spacing
被引：0
|作者：
机构：
[1] Riley, Paul E.
[2] Hanson, David A.
来源：
Riley, Paul E.
|
1600年
/
02期
关键词：
Integrated Circuit Manufacture;
D O I：
暂无
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学科分类号：
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