2D-3D transition in highly strained GaAs/Ga1-xInxAs heterostructures by transmission electron microscopy

被引:0
作者
Lab de Physique du Solide, Paris, France [1 ]
机构
来源
J Cryst Growth | / 1-2卷 / 6-16期
关键词
D O I
暂无
中图分类号
学科分类号
摘要
引用
收藏
相关论文
empty
未找到相关数据