SiO2/InP structure prepared by direct photo-chemical vapor deposition using deuterium lamp and its applications to metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

被引：0

作者：

Shei, Shih-Chang ^{[1
]}

Su, Yan-Kuin ^{[1
]}

Hwang, Chih-Jen ^{[1
]}

Yokoyama, Meiso ^{[1
]}

机构：

[1] Natl Cheng Kung Univ, Taiwan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes & Review Papers | 1995年 / 34卷 / 2 A期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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