Low-temperature epitaxial growth of Si/Si1-xGex/Si heterostructure by chemical vapor deposition

被引：0

作者：

Murota, Junichi ^{[1
]}

Ono, Shoichi ^{[1
]}

机构：

[1] Tohoku Univ, Sendai, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers | 1994年 / 33卷 / 4 B期

关键词：

Cross sectional transmission electron microscope - Low temperature epitaxial growth - Ultraclean low pressure chemical vapor deposition;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

页码：2290 / 2299