Properties of the interface of diamond-like layers (DLC) with silicon

被引：0

作者：

Szmidt, J. ^{[1
]}

机构：

[1] Warsaw Univ of Technology, Warszawa, Poland

来源：

Electron Technology (Warsaw) | 1996年 / 29卷 / 2-3期

关键词：

D O I：

暂无

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