MOBILITY DEGRADATION AND TRANSFERRED ELECTRON EFFECT IN GALLIUM ARSENIDE AND INDIUM GALLIUM ARSENIDE.

被引：0

作者：

Arora, Vijay K. ^{[1
]}

Mui, David S.L. ^{[1
]}

Morkoc, Hadis ^{[1
]}

机构：

[1] Wilkes Coll, Wilkes-Barre, PA, USA, Wilkes Coll, Wilkes-Barre, PA, USA

来源：

IEEE Transactions on Electron Devices | 1987年 / ED-34卷 / 06期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

37

引用

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