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RECOMBINATION OF NONEQUILIBRIUM CARRIERS AT HIGH RATES OF EXCITATION OF A METAL-DOPED SILICON SURFACE.
被引：0
作者：
Zuev, V.A.
Litovchenko, V.G.
Milenin, V.V.
Popov, V.G.
Primachenko, V.E.
Snitko, O.V.
机构：
来源：
|
1600年
/
11期
关键词：
Compendex;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
SEMICONDUCTING SILICON
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