Study of MOS gate dielectric breakdown due to drain avalanche breakdown

被引：0

作者：

Wong, H. ^{[1
]}

Poon, M.C. ^{[1
]}

机构：

[1] City Univ, Kowloon, Hong Kong

来源：

Microelectronics Reliability | 1998年 / 38卷 / 09期

关键词：

Number:; -; Acronym:; Sponsor: City University of Hong Kong;

D O I：

暂无

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页码：1433 / 1438

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