InGaAs/InAlAs/InP collector-up microwave heterojunction bipolar transistors

被引：0

作者：

Sato, Hiroya ^{[1
]}

Vlcek, James C. ^{[1
]}

Fonstad, Clifton G. ^{[1
]}

Meskoob, B. ^{[1
]}

Prasad, S. ^{[1
]}

机构：

[1] Dept of Electr Eng & Comput Sci,, MIT, Cambridge, MA, USA

来源：

Electron device letters | 1990年 / 11卷 / 10期

关键词：

Indium Aluminum Arsenide - Indium Gallium Arsenide - Microwave Transistors;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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