Cryogenic operation of heavy ion implanted N- and P-channel MOSFETs

被引:0
作者
LPCS, Grenoble, France [1 ]
机构
来源
J Phy IV JP | / 3卷 / Pr3-37-40期
关键词
D O I
暂无
中图分类号
学科分类号
摘要
引用
收藏
相关论文
empty
未找到相关数据