Preparation of microcrystalline silicon carbide films by hydrogen-radical-enhanced chemical vapor deposition using tetramethylsilane

被引：0

作者：

Yasui, Kanji ^{[1
]}

Fujita, Akira ^{[1
]}

Akahane, Tadashi ^{[1
]}

机构：

[1] Nagaoka Univ of Technology, Nagaoka, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers | 1992年 / 31卷 / 4 A期

关键词：

Silicon Carbide;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

页码：379 / 382