2-D carrier profiling of InP-based structures using scanning capacitance microscopy (SCM) and scanning spreading resistance microscopy (SSRM)

被引：0

作者：

De Wolf, P. ^{[1
]}

Erickson, A. ^{[1
]}

Brazel, E. ^{[1
]}

Lefevre, M. ^{[1
]}

Geva, M. ^{[1
]}

机构：

[1] Digital Instruments, Santa Barbara, United States

来源：

Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials | 2000年

关键词：

Scanning capacitance microscopy (SCM) - Scanning spreading resistance microscopy (SSRM);

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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