未找到相关数据
KINETICS OF ANNEALING OF RADIATION DEFECTS IN P-TYPE SILICON AT TEMPERATURES OF 150-300 degree K.
被引：0
|作者：
Mukashev, B.N.
Kolodin, L.G.
Nusupov, K.Kh.
机构：
来源：
|
1978年
/
12卷
/
06期
关键词：
Compendex;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
SEMICONDUCTING SILICON
引用
收藏
页码：697 / 699
相关论文