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Temperature-dependent terahertz output from semi-insulating GaAs photoconductive switches
被引：0
作者：
Natl Inst of Standards and, Technology, Gaithersburg, United States
[1
]
机构：
来源：
Appl Phys Lett
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18卷
/
2229-2231期
关键词：
D O I：
暂无
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