Transmission electron microscopy study of the defect structure of silicon along a low-energy nitrogen ion path

被引：0

作者：

Vagin, S.P. ^{[1
]}

Reutov, V.F. ^{[1
]}

Sigle, V.O. ^{[1
]}

Chakrov, P.V. ^{[1
]}

机构：

[1] Kazakhstan Acad of Sciences, Alma-Ata, Kazakhstan

来源：

Physics, chemistry and mechanics of surfaces | 1992年 / 8卷 / 01期

关键词：

Ion implantation;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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