Effect of rapid thermal annealing on electron trapping in thin oxide on n-type GaAs

被引：0

作者：

Eftekhari, Ghader ^{[1
]}

机构：

[1] State Univ of New York, New Paltz, United States

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers | 1992年 / 31卷 / 03期

关键词：

13;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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