Reactive ion etching of copper films in SiCl4 and N2 mixture

被引：0

作者：

Ohno, Kazuhide ^{[1
]}

Sato, Masaaki ^{[1
]}

Arita, Yoshinobu ^{[1
]}

机构：

[1] NTT LSI Lab, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters | 1989年 / 28卷 / 06期

关键词：

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

引用