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Growth and characterization of silicon/silicon carbide heteroepitaxial films on silicon substrates by rapid thermal chemical vapor deposition
被引：0
作者：
Natl Cheng Kung Univ, Tainan, Taiwan
[1
]
机构：
来源：
Jpn J Appl Phys Part 1 Regul Pap Short Note Rev Pap
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7卷
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3836-3840期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
13
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