On the influence of extrinsic point defects on irradiation-induced point-defect distributions in silicon

被引：0

作者：

Vanhellemont, J. ^{[1
]}

Romano-Rodriguez, A. ^{[1
]}

机构：

[1] IMEC, Leuven, Belgium

来源：

Applied Physics A: Solids and Surfaces | 1994年 / 58卷 / 06期

关键词：

Bulk sinks - Electron irradiation - Extrinsic point defects - Intrinsic point defects;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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