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Transmission electron microscopy investigation of defects in B-implanted 6H-SiC
被引：0
作者：
Linkoping Univ, Linkoping, Sweden
[1
]
机构：
来源：
Materials Science Forum
|
1998年
/
264-268卷
/
pt 1期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
5
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页码：413 / 416
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