Schottky barrier height reduction and drive current improvement in metal source/drain MOSFET with strained-Si channel

被引：0

作者：

机构：

[1] Yagishita, Atsushi

[2] King, Tsu-Jae

[3] Bokor, Jeffrey

来源：

Yagishita, A. (yagishita@amc.toshiba.co.jp) | 1713年 / Japan Society of Applied Physics卷 / 43期

关键词：

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