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Rapid thermal oxidation of porous silicon for surface passivation
被引：0
作者：
CNRS-PHASE , 23 rue du Loess, 67037 Strasbourg, France
[1
]
不详
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]
机构：
来源：
Materials Science in Semiconductor Processing
|
1998年
/
1卷
/
3-4期
关键词：
Number:;
JOR3-CT960109;
Acronym:;
EC;
Sponsor: European Commission;
-;
IWT;
Sponsor: Agentschap voor Innovatie door Wetenschap en Technologie;
D O I：
暂无
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学科分类号：
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