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Simple model for substrate current characteristics in short-channel ultrathin-film metal-oxide-semiconductor field-effect transistors by separation by implanted oxygen
被引：0
作者：
机构：
[1] Omura, Yasuhisa
来源：
Omura, Yasuhisa
|
1600年
/
JJAP, Minato-ku, Japan卷
/
34期
关键词：
MOSFET devices;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
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