Behavior of excess arsenic in undoped, semi-insulating GaAs during ingot annealing

被引：0

作者：

Suemitsu, Maki ^{[1
]}

Terada, Koji ^{[1
]}

Nishijima, Masaaki ^{[1
]}

Miyamoto, Nobuo ^{[1
]}

机构：

[1] Tohoku Univ, Sendai, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters | 1992年 / 31卷 / 12 A期

关键词：

11;

D O I：

暂无

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学科分类号：

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引用