Sub-continuum thermal simulations of deep sub-micron devices under ESD conditions

被引：0

作者：

Sverdrup, Per G. ^{[1
]}

Banerjee, Kaustav ^{[1
]}

Dai, Changhong ^{[1
]}

Shih, Wei-kai ^{[1
]}

Dutton, Robert W. ^{[1
]}

Goodson, Kenneth E. ^{[1
]}

机构：

[1] Stanford Univ, Stanford, United States

来源：

International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD | 2000年

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Integrated circuits

引用

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