Secondary defects in low-energy As-implanted Si

被引：0

作者：

Tamura, M. ^{[1
]}

Hiroyama, Y. ^{[1
]}

Nishida, A. ^{[1
]}

Horiuchi, M. ^{[1
]}

机构：

[1] Joint Research Cent for Atom, Technology, Ibaraki, Japan

来源：

Applied Physics A: Materials Science and Processing | 1998年 / 66卷 / 04期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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