Raman study of epitaxial Ga2Se3 films grown by molecular beam epitaxy

被引：0

作者：

Yamada, Akira ^{[1
]}

Kojima, Nobuaki ^{[1
]}

Takahash, Kiyoshi ^{[1
]}

Okamoto, Tamotsu ^{[1
]}

Konagai, Makoto ^{[1
]}

机构：

[1] Tokyo Inst of Technology, Tokyo, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers | 1992年 / 31卷 / 2 B期

关键词：

Semiconducting Gallium Compounds;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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