CURRENT TRANSPORT MECHANISM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODES.

被引：0

作者：

Mishima, Yasuyoshi ^{[1
]}

Hirose, Masataka ^{[1
]}

Osaka, Yukio ^{[1
]}

机构：

[1] Department of Electrical Engineering, Hiroshima University, Japan

来源：

| 1600年 / 20期

关键词：

D O I：

暂无

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