Optical property of InAsP/InP strained quantum wells grown on InP (111)B and (100) substrates

被引：0

作者：

机构：

[1] Hou, H.Q.

[2] Tu, C.W.

来源：

Hou, H.Q. | 1600年 / American Inst of Physics, Woodbury, NY, United States卷 / 75期

关键词：

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