Optical properties and band lineup in GaNxAs1-x/GaAs single quantum wells

被引：0

作者：

Luo, X.D. ^{[1
]}

Xu, Z.Y. ^{[1
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Pan, Z. ^{[1
]}

Li, L.H. ^{[1
]}

Lin, Y.W. ^{[1
]}

Ge, W.K. ^{[1
]}

机构：

[1] Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing 100083, China

来源：

Hongwai Yu Haomibo Xuebao/Journal of Infrared and Millimeter Waves | 2001年 / 20卷 / 01期

关键词：

Band offset - Single quantum wells;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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