CHARACTERIZATION OF METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR TRANSISTORS WITH VERY THIN GATE OXIDE.

被引：0

作者：

Hung, K.K. ^{[1
]}

Cheng, Y.C. ^{[1
]}

机构：

[1] Univ of Hong Kong, Hong Kong, Univ of Hong Kong, Hong Kong

来源：

| 1600年 / 59期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用