Design and fabrication of GeSi/Si strained layer superlattice waveguide PIN photodetectors at λ=1.3 μm

被引：0

作者：

Wan, Jianjun ^{[1
]}

Li, Guozheng ^{[1
]}

Li, Na ^{[1
]}

Xu, Xuelin ^{[1
]}

Liu, Enke ^{[1
]}

机构：

[1] Xi'an Jiaotong Univ, Xi'an, China

来源：

Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors | 1998年 / 19卷 / 08期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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