SILICON RADIATION DETECTOR ANALYSIS USING BACK ELECTRON BEAM INDUCED CURRENT.

被引：0

作者：

Guye, R. ^{[1
]}

Jarron, P. ^{[1
]}

机构：

[1] Swiss Cent for Electronics &, Microtechnology Inc, Neuchatel,, Switz, Swiss Cent for Electronics & Microtechnology Inc, Neuchatel, Switz

来源：

| 1600年 / A253期

关键词：

ELECTRON BEAM INDUCED CURRENT - SCANNING ELECTRON MICROSCOPE - SEM;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用