NEW SELF-ALIGNED RECESSED-GATE GaAs MESFET USING RIBE (REACTIVE ION BEAM ETCHING) FOR RECESS ETCHING.

被引：0

作者：

Imai, Yuhki ^{[1
]}

Ohwada, Kuniki ^{[1
]}

Imamura, Yoshihiro ^{[1
]}

机构：

[1] NTT Electrical Communications Lab, Atsugishi, Jpn, NTT Electrical Communications Lab, Atsugishi, Jpn

来源：

Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers, Section E ( | 1987年 / E70卷 / 10期

关键词：

Compendex;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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