Laser-induced melting of porous silicon

被引：0

作者：

Timoshenko, V.Yu. ^{[1
,2
]}

Dittrich, Th. ^{[1
]}

Sieber, I. ^{[3
]}

Rappich, J. ^{[3
]}

Kamenev, B.V. ^{[2
]}

Kashkarov, P.K. ^{[2
]}

机构：

[1] Physik-Department E 16, TU München, D-85747 Garching, Germany

[2] Physics Department, M. V. Lomonosov Moscow State Univ., 119899 Moscow, Russia

[3] Abt. Si-Photovoltaik, Hahn-Meitner-Institut, Kekuléstr 5, D-12489 Berlin, Germany

来源：

Physica Status Solidi (A) Applied Research | 2000年 / 182卷 / 01期

关键词：

Laser induced melting - Laser induced modification - Time resolved reflectivity method - Xenon chlorine laser;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

页码：325 / 330